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深圳市锂斯特电子有限公司
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产品分类
- 贴片/片式/SMD二极管(4)
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产品信息
LT6703具 400mV 基准的微功率、低电压比较器，进口原装 尽在-锂斯特电子
LT6703CDC-2#TRMPBF
LT6703CDC-2#TRPBF
LT6703CDC-3#TRMPBF
LT6703CDC-3#TRPBF
LT6703HDC-2#TRMPBF
LT6703HDC-2#TRPBF
LT6703HDC-3#TRMPBF
LT6703HDC-3#TRPBF
LT6703HVCS5-2#TRMPBF
LT6703HVCS5-2#TRPBF
LT6703HVCS5-3#TRMPBF
LT6703HVCS5-3#TRPBF
LT6703HVHS5-2#TRMPBF
LT6703HVHS5-2#TRPBF
LT6703HVHS5-3#TRMPBF
LT6703HVHS5-3#TRPBF
LT6703HVIS5-2#TRMPBF
LT6703HVIS5-2#TRPBF
LT6703HVIS5-3#TRMPBF
LT6703HVIS5-3#TRPBF
LT6703IDC-2#TRMPBF
LT6703IDC-2#TRPBF
LT6703IDC-3#TRMPBF
LT6703IDC-3#TRPBF
特点
内部 400mV 基准
总门限误差：±1.25% (25oC 时的值)
宽电源范围：1.4V 至 18V
输入和输出工作电压至 36V
规格针对 -40oC 至 125oC 的温度范围而拟订
低静态电流：6.5μA (5V 电压条件下的典型值)
内部迟滞：6.5mV (典型值)
低输入偏置电流：±10nA (值)
Over-The-Top® 输入还包括地电位
集电极开路输出提供了电平变换
输入极性的选择：LT6703-2/LT6703-3/LT6703HV-2/LT6703HV-3
采用 2mm x 2mm DFN 和扁平 (高度仅 1mm) SOT-23 (ThinSOT™) 封装
产品详情
LT6703-2/LT6703-3/LT6703HV-2/LT6703HV-3 把一个微功率、低电压比较器和一个400mV 基准集成在一个纤巧型 DFN 封装之中。这些器件采用 1.4V 至高达 18V 的工作电源，吸收电流仅为 6.5μA，从而使其成为低电压系统监视的理想选择。比较器内置迟滞，因而确保了稳定的操作。
比较器具有一个外部可用输入，而其他输入则在内部连接至基准。比较器输出为开路集电极，而且输出负载可参考于任何高达 18V 的电压 (对于 LT6703HV 为 36V)，这与电源电压无关。输出级的电流吸收能力在整个温度范围内保证高于 5mA。
该器件两种版本的不同之处在于可用比较器输入的极性。LT6703-2/LT6703HV-2 具有一个反相输入，而 LT6703-3/LT6703HV-3 则具有一个同相输入。这两个版本均提供了商业、工业和汽车温度范围。
应用
电池供电型系统监视
门限检测器
窗口比较器
继电器驱动
工业控制系统
手持式仪器
汽车监视和控制