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深圳市锂斯特电子有限公司
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产品信息
EMD3T2R进口原装现货
Complex Transistor(DTR+DTR); 在超小型封装中内藏2个晶体管。适用于从差动增幅回路到高频水晶振动器，起动器等各种用途。
使用时即使是瞬间超过额定值也不行，那样有可能出现击穿而损坏晶体管，或者造成hFE下降等性能退化。单发脉冲情况下可使用的范围要确认安全工作区（SOA）。连续脉冲情况下，需要进行功率计算和元件温度计算。具体的判断步骤请参考｢判断能否使用的方法｣、｢元件温度计算方法｣。(另外，请同时参考与“降低额定值”相关的内容。）
基极电流的额定值是多少？
基极电流的额定值是集电极电流额定值的1/3（达林顿连接晶体管是1/10）。以2SD2656为例因为集电极电流的额定值在DC情况下是1A，在脉冲情况下是2A，所以基极电流的额定值就是DC情况下为333mA，脉冲情况下为666mA。对于数字晶体管，如果遵照规格说明书上记载的Vin的额定值，那就以输入电流保持在额定值内为前提来设定Vin的额定值。
EMD3T2R
集电极-发射极间可以加上与耐压反向的电压吗？
对于NPN晶体管，发射极接地，给集电极加上正电压时的耐压是规格说明书上记载的VCEO。（对于PNP晶体管，集电极接地，给发射极加上正电压时的耐压是VCEO。）与此相反，（NPN晶体管集电极接地，给发射极加上正电压时）的耐压与发射极-基极间的耐压大致相等。发射极-基极间的耐压通常为5-7V左右，所以建议使用时要使集电极-发射极间的反向电压保持在5V以下（如果给集电极-发射极间加上接近反向耐压值的电压 ...
这是Moisture Sensitivity Level的简称。通过半导体等封装密封树脂吸收空气中的水分，以防止在回流等情况下，由于水分蒸发导致体积膨胀而产生的破损现象，而制定的JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council）标准。防潮包装开封后的IC封装车间寿命请参考下方MSL Level进行区分。
EMD3T2R