深圳市锂斯特电子有限公司

MSK4800H

特征

半桥配置

额定电压600V

450A连续输出电流

门上的内部齐纳夹

专有封装提供近乎密封的性能

可进行Hi-Rel筛选（修改38534）

轻质拱形Alsic底板

高可靠性应用的鲁棒机械设计

超低电感内部布局

承受96小时HAST和热循环（-55°C至+125°C）

用于de-sat检测的高压侧收集器感应针

说明：

MSK4800是专门为军事用途开发的一系列塑料封装模块（PEM）之一，

航空航天和其他恶劣环境应用。半桥配置和600伏/450安培额定值使它

适用于大电流电机驱动和逆变器应用。铝-碳化硅（ALSIC）基板提供

优良的平整度和重量轻；远优于大多数大功率塑料模块中的铜或铜合金。

用于建造MSK4800的高导热材料允许在升高的基板上进行高功率输出。

温度。我们的专有涂层，SEES™—恶劣环境封装系统—保护内部电路

MSK PEM的水分和污染，使其能够通过严格的环境筛选要求。

军事和航天应用。MSK PEM也可用于工业标准硅胶涂层。

低成本选项。

额定值

集电极对发射极电压：600V

栅极到发射极电压：±20V

电流（连续）：450A

脉冲电流（1ms）：900A

外壳隔离电压：2500V

储存温度范围：-55°C 至 +125°C

结温：150°C

外壳工作温度范围：

MSK4800H    -55°C to +125°C

MSK4800   -40°C to +85°C

MSK4800H

热计算

功率耗散和允许温升涉及许多变量一起工作。集电极电流，

脉宽调制占空比和开关频率均为功率损耗因素。直流损耗或“准时”损耗

VCE（SAT）x集电极电流x PWM占空比。对于MSK4800，VCE（SAT）=2.6V（值），450安培和脉宽调制

占空比为30%，直流损耗等于351瓦。开关损耗随开关频率成比例变化。MSK4800

VCE=300V和ICE=450A时的典型开关损耗约为117.7mJ，这只是通电开关损耗和关断开关损耗之和。将开关频率乘以开关损耗将导致

开关功耗。MSK4800在5KHz时，开关功耗为589瓦。

总损耗是直流损耗加上开关损耗之和，在这种情况下，总损耗为940瓦。

940瓦x 0.08°C/W热阻等于外壳和接头之间的温升75度。

从150°C的结温减去75°C等于75°C的外壳温度。

例子。

VCE（SAT）x IC x PWM占空比=2.6V x 450安培x 30%=357瓦特直流损耗

开启开关损耗+关闭开关损耗=总开关损耗=30.5+87.2=117.7mJ

总开关损耗x脉宽调制频率=总开关功耗=117.7mJ x 5KHz=589瓦

总功耗=直流损耗+开关损耗=351+589=940瓦

结温升高于外壳=总功耗x热电阻

940瓦x 0.08°C/W=高于外壳75°C的温升

结温-结温升=基板温度

150°C-75°C=75°C

MSK4800H