深圳市锂斯特电子有限公司

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EMD3T2R进口原装现货
EMD3T2R进口原装现货
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EMD3T2R进口原装现货

型号/规格:

EMD3T2R

品牌/商标:

ROHM(罗姆)

封装形式:

SOT-563

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

贴片式

包装方式:

卷带编带包装

功率特性:

大功率

频率特性:

高频

极性:

NPN型

Vcc:

50V

lc(MAX.):

100 mA

R1:

10k欧

产品信息

EMD3T2R进口原装现货

Complex Transistor(DTR+DTR); 在超小型封装中内藏2个晶体管。适用于从差动增幅回路到高频水晶振动器,起动器等各种用途。

使用时即使是瞬间超过额定值也不行,那样有可能出现击穿而损坏晶体管,或者造成hFE下降等性能退化。单发脉冲情况下可使用的范围要确认安全工作区(SOA)。连续脉冲情况下,需要进行功率计算和元件温度计算。具体的判断步骤请参考「判断能否使用的方法」、「元件温度计算方法」。(另外,请同时参考与“降低额定值”相关的内容。)

基极电流的额定值是多少?

基极电流的额定值是集电极电流额定值的1/3(达林顿连接晶体管是1/10)。以2SD2656为例因为集电极电流的额定值在DC情况下是1A,在脉冲情况下是2A,所以基极电流的额定值就是DC情况下为333mA,脉冲情况下为666mA。对于数字晶体管,如果遵照规格说明书上记载的Vin的额定值,那就以输入电流保持在额定值内为前提来设定Vin的额定值。

EMD3T2R

集电极-发射极间可以加上与耐压反向的电压吗?

对于NPN晶体管,发射极接地,给集电极加上正电压时的耐压是规格说明书上记载的VCEO。(对于PNP晶体管,集电极接地,给发射极加上正电压时的耐压是VCEO。)与此相反,(NPN晶体管集电极接地,给发射极加上正电压时)的耐压与发射极-基极间的耐压大致相等。发射极-基极间的耐压通常为5-7V左右,所以建议使用时要使集电极-发射极间的反向电压保持在5V以下(如果给集电极-发射极间加上接近反向耐压值的电压 ...

这是Moisture Sensitivity Level的简称。通过半导体等封装密封树脂吸收空气中的水分,以防止在回流等情况下,由于水分蒸发导致体积膨胀而产生的破损现象,而制定的JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)标准。防潮包装开封后的IC封装车间寿命请参考下方MSL Level进行区分。

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